| 序号 | 标准物质名称 | 编号 | 标准值 | 扩展不确定度 |
| 纳米尺度薄膜厚度标准物质 | ||||
| *多层膜膜厚(GaAs/AlAs超晶格)标准物质* *该标准物质还可用于透射电镜中放大倍率的校准 |
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| 1 | GaAs/AlAs超晶格多层膜厚度(nm) 氧化层 | GBW13955 | 0.98 | 参考 |
| GaAs/AlAs超晶格多层膜厚度(nm)第一层 | 20.12 | 参考 | ||
| GaAs/AlAs超晶格多层膜厚度(nm) 第二层 | 10.60 | 0.18 | ||
| GaAs/AlAs超晶格多层膜厚度(nm) 第三层 | 10.06 | 0.20 | ||
| GaAs/AlAs超晶格多层膜厚度(nm) 第四层 | 10.58 | 0.18 | ||
| GaAs/AlAs超晶格多层膜厚度(nm) 第五层 | 10.07 | 0.18 | ||
| GaAs/AlAs超晶格多层膜厚度(nm) 第六层 | 10.58 | 0.18 | ||
| *二氧化硅薄膜标准物质 | ||||
| 2 | 二氧化硅薄膜膜厚(nm) | GBW13957 | 12.56 | 0.30 |
| 3 | 二氧化硅薄膜膜厚(nm) | GBW13960 | 106.1 | 1.7 |
| 4 | 二氧化硅薄膜膜厚(nm) | GBW13958 | 20.87 | 0.36 |
| 5 | 二氧化硅薄膜膜厚(nm) | GBW13959 | 57.55 | 0.50 |
| *氮化硅薄膜标准物质 | ||||
| 6 | 氮化硅薄膜膜厚(nm) | GBW13963 | 151.8 | 1.0 |
| 7 | 氮化硅薄膜膜厚(nm) | GBW13961 | 52.67 | 0.28 |
| 8 | 氮化硅薄膜膜厚(nm) | GBW13962 | 104.91 | 0.32 |
| 9 | 氮化硅薄膜膜厚(nm) | GBW13964 | 205.0 | 1.5 |
| 拉曼光谱校准用标准物质 | ||||
| 10 | 激发波长514.5nm的拉曼光谱相对强度标准物质 | GBW13650 | ||
| 11 | 硫拉曼频移标准物质 | GBW13651 | ||
| 12 | 萘拉曼频移标准物质 | GBW13652 | ||
| 13 | 环己烷拉曼频移标准物质 | GBW13653 | ||
| 14 | 对乙酰氨基酚拉曼频移标准物质 | GBW13654 | ||
纳米尺度薄膜厚度标准物质
纳米尺度薄膜由于其独特的光学和电学性能,广泛应用在半导体、光电子、微电子、太阳能电池、航空航天等领域。纳米薄膜的厚度是其非常重要的参数,薄膜材料的力学性能、透光性能、表面结构等都与厚度有着密切的联系,所以薄膜厚度需要准确测量。目前,国家计量院已研制出多层膜膜厚(GaAs/AlAs超晶格)、二氧化硅薄膜和氮化硅薄膜膜厚标准物质,用溯源的掠入射X射线反射方法(GIXRR)定值,主要用于广泛使用的X射线光电子能谱(XPS)、俄歇电子能谱(AES)、二次离子质谱(SIMS)等表面分析技术溅射速率的校准,以及椭偏仪、掠入射X射线反射膜厚测量仪器等薄膜厚度测量仪器的校准,以确保样品成分深度变化或薄膜厚度的测量结果的准确性、一致性和可靠性,满足纳米材料及器件设计、制造等单位的需求。
纳米薄膜厚度标准物质
拉曼光谱校准用标准物质
拉曼光谱具有快速、高效、无损等特点,已广泛应用于环境保护、化工、制药、食品安全、药物检测等领域。拉曼光谱的定性和半定量分析取决于拉曼频移和拉曼相对强度的准确、可靠。目前,国家计量院已研制出拉曼频移和拉曼相对强度2类5种标准物质,可用于(83-3325) cm-1拉曼光谱范围内拉曼频移的校准,以及激发波长514.5 nm的拉曼光谱相对强度的校准,满足拉曼光谱仪测量结果准确、可比的需求。
拉曼频移和相对强度系列标准物质



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