国家重点研发计划NQI专项“片上纳米几何量与电学量计量技术研究及应用”项目实施方案通过论证

国家重点研发计划NQI专项“片上纳米几何量与电学量计量技术研究及应用”项目实施方案通过论证

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3月24日,由中国计量科学研究院(以下简称“中国计量院”)牵头承担的国家重点研发计划“国家质量基础设施体系”重点专项(以下简称“NQI专项”)“片上纳米几何量与电学量计量技术研究及应用”实施方案论证会在中国计量院和平里院区召开。

中国21世纪议程管理中心、市场监管总局科财司相关领导,中国计量院副院长戴新华及相关部门负责人,项目和课题负责人、各承担单位代表共40余人参会。哈尔滨工业大学仪器科学与工程学院院长刘俭、中国科学院微电子研究所研究员周维虎、清华大学精密仪器系教授曾理江、北京大学集成电路学院教授张大成等10位项目咨询专家参会指导。会议以线上线下结合的方式进行。

论证会

 

会上,中国计量院副院长戴新华对参会的领导和专家表示欢迎,从重视项目的执行、加强项目成果与产业实际需求结合等方面对项目提出要求。中国21世纪议程管理中心和市场监管总局科财司相关领导对项目实施管理提出要求。项目负责人、中国计量院副研究员杨雁汇报了项目的总体情况、技术路线及预期成果等。来自中国计量院、同济大学、中科院微电子所等单位的课题负责人分别介绍了各课题的具体任务及实施方案。

项目咨询专家组成员从各自专业角度为项目及课题实施提出了咨询意见。中国计量院相关部门负责人介绍了项目管理和经费管理的制度办法。

合影

 

据项目负责人杨雁介绍,集成电路产业的高质量发展离不开片上精密测试与计量技术。当前,对片上关键特征参数的高精度检测与量值溯源是集成电路工艺中亟需解决的共性计量问题。该项目以研制片上纳米几何量与电学量计量核心器件及相关计量装置为目标,拟建立面向集成电路片上膜厚、高密度光栅及位移传感、电容和功率参数的计量校准能力,并开展相应成果的应用示范。

项目将突破片上膜厚、高密度光栅、电容和微波功率标准器件的制备和计量技术瓶颈,实现片上膜厚和高密度光栅及位移传感的高精度溯源,解决片上微小电容与微波功率参数定标溯源技术不足与标准芯片缺失的难题。该项目的完成,将有助于提高集成电路产业链经济质量效益和核心竞争力,助力我国半导体集成电路产业的高质量发展。(文:张欣、石亚楠  图:石亚楠)